Módulo de Transistores de Alta Capacidad y Control Integrado
Este paquete técnico incluye el módulo IGBT FD1200R17KE3-K y la unidad de aislamiento y disparo 1SD536F2-1200E4C-34N. Ideado para la reparación, actualización y construcción de sistemas inversores de gran calibre, proporciona el aislamiento galvánico necesario para resguardar las etapas de control lógico más sensibles.
Consistencia en Aplicaciones de Alta Corriente
La arquitectura basada en el modelo CM1200E4C-34N y el soporte de FD1200R17KE3-K-B2 permite una distribución homogénea de la densidad de corriente. Esto previene la aparición de puntos calientes localizados en el sustrato, un factor clave para evitar el envejecimiento prematuro del semiconductor en aplicaciones de servicio continuo.
- Módulo semiconductor principal: FD1200R17KE3-K / FD1200R17KE3-K-B2
- Módulo de monitorización y puerta: 1SD536F2-1200E4C-34N / CM1200E4C-34N
